MJD31CT4G
fabricant:
Einheitlich
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
NPN
Produktkategorie:
Bipolar Transistor - BJT
Montageart:
SMD/SMT
Maximaler DC-Kollektorstrom:
3 A
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
100 V
Packung / Gehäuse:
TO-252-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Gewinn-Bandbreiten-Produkt fT:
3 MHz
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Basis-Spannung VCBO:
100 V
Reihe:
MJD31C
Emitter-niedrige Spannung VEBO:
5 V
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1.2 V
Hersteller:
Ein- und zweimal
Einleitung
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