TPH1400ANH,L1Q
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
N-Kanal
Technologie:
Si
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:
42 A
Montageart:
SMD/SMT
Packung / Gehäuse:
SOP-Advance-8
Kanal-Modus:
Verbesserung
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:
100 V
Verpackung:
Spirale
Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung:
2 V bis 4 V
Produktkategorie:
MOSFET
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:
11.3 mOhms
Anzahl der Kanäle:
1 Kanal
Vgs - Tor-Quellspannung:
20 V
Qg - Tor-Gebühr:
22 nC
Hersteller:
Toshiba
Einleitung
Der TPH1400ANH,L1Q,von Toshiba,ist ein MOSFET.Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt,der in Original- und neuen Teilen ist.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
Verwandte Produkte

TK20A60U
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS

Die Befehle sind zu beachten.
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS

TK4P60DB
MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm

2SA1244-Y
Silicon PNP Power Transistors

TK12A60D
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS

TPH4R50ANH
MOSFET U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET

TK10A60D
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS

2SK3878
Switching Regulator Applications
Bild | Teil # | Beschreibung | |
---|---|---|---|
![]() |
TK20A60U |
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
|
|
![]() |
Die Befehle sind zu beachten. |
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
|
|
![]() |
TK4P60DB |
MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm
|
|
![]() |
2SA1244-Y |
Silicon PNP Power Transistors
|
|
![]() |
TK12A60D |
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS
|
|
![]() |
TPH4R50ANH |
MOSFET U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
|
|
![]() |
TK10A60D |
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
|
|
![]() |
2SK3878 |
Switching Regulator Applications
|
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: