SQJA86EP-T1_GE3
fabricant:
Vishay Halbleiter
Beschreibung:
MOSFET 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualifiziert
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
N-Kanal
Technologie:
Si
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:
30 A
Montageart:
SMD/SMT
Mindestbetriebstemperatur:
- 55 C
Packung / Gehäuse:
Dies ist der Fall.
Höchstbetriebstemperatur:
+ 175 C
Kanal-Modus:
Verbesserung
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:
80 V
Verpackung:
Spirale
Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung:
1,5 V
Produktkategorie:
MOSFET
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:
15.5 mOhms
Anzahl der Kanäle:
1 Kanal
Vgs - Tor-Quellspannung:
+/- 20 V
Qg - Tor-Gebühr:
32 nC
Hersteller:
Vishay Halbleiter
Einleitung
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
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