Filter
Filter
Transistoren
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI7216DN-T1-E3 |
MOSFET DUAL N-CH 40V ((D-S)
|
Vishay Halbleiter
|
|
|
|
|
|
FCPF22N60NT |
MOSFET 600V N-Kanal SupreMOS
|
Fairchild Halbleiter
|
|
|
|
|
|
FCH072N60 |
MOSFET SuperFET2 600V Schnellver
|
Fairchild Halbleiter
|
|
|
|
|
|
IRFPG50PBF |
MOSFET N-Chan 1000V 6,1 Ampere
|
Vishay Halbleiter
|
|
|
|
|
|
FDP61N20 |
MOSFET 200 V N-Kanal-MOSFET
|
Fairchild Halbleiter
|
|
|
|
|
|
FQB4N80TM |
MOSFET 800V N-Kanal QFET
|
Fairchild Halbleiter
|
|
|
|
|
|
FQP12P20 |
MOSFET 200V P-Kanal QFET
|
Fairchild Halbleiter
|
|
|
|
|
|
Die Bezeichnung des Fahrzeugs ist folgende: |
MOSFET 100V N-Kanal-Stromstrang MOSFET
|
Fairchild Halbleiter
|
|
|
|
|
|
FQB7P20TM |
MOSFET 200V P-Kanal QFET
|
Fairchild Halbleiter
|
|
|
|
|
|
FQB33N10TM |
MOSFET 100 V N-Kanal QFET
|
Fairchild Halbleiter
|
|
|
|
|
|
FQT4N25TF |
MOSFET 250 V Einzel
|
Fairchild Halbleiter
|
|
|
|
|
|
SI1024X-T1-GE3 |
MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 700 Mohms @ 4,5V
|
Vishay Halbleiter
|
|
|
|
|
|
DMP4051LK3-13 |
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 40V P-Kanal
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
|
|
BSS138BK,215 |
MOSFET N-CH 60 V 360 mA
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
SI7236DP-T1-GE3 |
MOSFET 20V 60A 46W 5.2mAh @ 4.5V
|
Vishay Halbleiter
|
|
|
|
|
|
IXFX64N50P |
MOSFET 64,0 Ampere 500 V 0,09 Ohm Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
SIZ340DT-T1-GE3 |
MOSFET 30V.0095ohm@10V 30A Dual N-Ch T-FET
|
Vishay Halbleiter
|
|
|
|
|
|
BSC014N04LSI |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
IPB117N20NFD |
MOSFET N-Ch 200V 84A D2PAK-2
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SI3590DV-T1-E3 |
MOSFET N&P-CH 30V (D-S)
|
Vishay Halbleiter
|
|
|
|
|
|
FDD6N50TM |
MOSFET 30V/16V 9.5/12MO NCH Einzel
|
Fairchild Halbleiter
|
|
|
|
|
|
IRFP264PBF |
MOSFET N-Chan 250V 38 Ampere
|
Vishay Halbleiter
|
|
|
|
|
|
SPP20N60C3 |
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220-3
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SPB17N80C3 |
MOSFET N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SUM90P10-19L-E3 |
MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V
|
Siliconix / Vishay
|
|
|
|
|
|
FDPF045N10A |
MOSFET 100V N-Kanal-Stromstrang MOSFET
|
Fairchild Halbleiter
|
|
|
|
|
|
FDMS86150 |
MOSFET PT5 100V/20V Nch PowerTrench MOSFET
|
Fairchild Halbleiter
|
|
|
|
|
|
Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. |
MOSFET 100V 28A 83W 41mohm @ 10V
|
Vishay Halbleiter
|
|
|
|
|
|
NVD5117PLT4G |
MOSFET 60V T1 PCH DPAK
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
FDMC86520DC |
MOSFET 60V N-Chan DualCool PowerTrench MOSFET
|
Fairchild Halbleiter
|
|
|
|
|
|
FQPF65N06 |
MOSFET 60V N-Kanal QFET
|
Fairchild Halbleiter
|
|
|
|
|
|
FQP9P25 |
MOSFET 250 V P-Kanal QFET
|
Fairchild Halbleiter
|
|
|
|
|
|
FDS6699S |
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench SyncFET
|
Fairchild Halbleiter
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführten Daten. |
MOSFET 60V 5.3A 3.1W 58mohm @ 10V
|
Vishay Halbleiter
|
|
|
|
|
|
ZXMS6004FFTA |
MOSFET 60V N-Kanal selbstgeschützt
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
|
|
SI9933CDY-T1-GE3 |
MOSFET 20V 4.0A 3.1W 58mohm @ 4.5V
|
Vishay Halbleiter
|
|
|
|
|
|
SIR878ADP-T1-GE3 |
MOSFET 100V 14mOhm@10V 40A N-Ch MV T-FET
|
Vishay Halbleiter
|
|
|
|
|
|
IPW90R120C3 |
MOSFET N-Ch 900V 36A TO247-3 CoolMOS C3
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
BSC010NE2LSI |
MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SI7469DP-T1-E3 |
MOSFET 80V 28A 83W 25mohm @10V
|
Vishay Halbleiter
|
|
|
|
|
|
BSC050NE2LS |
MOSFET N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
IXFH40N85X |
MOSFET 850V Ultra Junction Pwr MOSFET der Klasse X
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
TK12A60D |
MOSFET N-CH 600V 12A bis 220SIS
|
Toshiba
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET N-Kanal 60 V, 0,0012 Ohm Typ 120 A StripFET F7 LeistungsmOSFET
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
BLF574 |
Wird die Anlage nicht mehr in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
|
Ampleon USA Inc.
|
|
|
|
|
|
FZT603TA |
Darlington Transistoren NPN Darlington
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
|
|
IKW20N60T |
IGBT-Transistoren mit niedrigem Verlust DuoPack 600V 20A
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
Darlington Transistors Darlington
|
Texas Instruments
|
|
|
|
|
|
FGA20N120FTDTU |
IGBT-Transistoren 1200 V N-Chan-Grench
|
Fairchild Halbleiter
|
|
|
|
|
|
STGWA60H65DFB |
IGBT-Transistoren IGBT und Leistungs-Bipolar
|
STMikroelektronik
|
|
|