FF300R12KS4
fabricant:
Infineon Technologies
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 400
Produktkategorie:
IGBT-Module
Mindestbetriebstemperatur:
- 40 °C
Länge:
106.4 mm
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
370 A
Installations-Art:
Aufbau des Fahrgestells
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
1200 V
Packung / Gehäuse:
62 Millimeter
Verpackenquantität der Fabrik:
10
Höchstbetriebstemperatur:
+ 125 °C
Größe:
30.9 mm
Paket:
Tray
Technologie:
Si
Pd-Leistungsausfall:
1950 W
Ausstattung:
Zweifach
Breite:
61.4 mm
Höchstspannung von Tor/Emitter:
20 V
Handelsmarke:
Infineon Technologies
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
3,75 V
Erzeugnis:
IGBT-Silikon-Module
Hersteller:
Infineon Technologies
Einleitung
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.
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