Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.
fabricant:
IXYS
Beschreibung:
MOSFET GigaMOS Trench T2 HyperFET PWR MOSFET
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
N-Kanal
Technologie:
Si
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:
480 A
Montageart:
Aufbau des Fahrgestells
Handelsbezeichnung:
HiPerFET
Mindestbetriebstemperatur:
- 55 C
Packung / Gehäuse:
SOT-227-4
Höchstbetriebstemperatur:
+ 175 C
Kanal-Modus:
Verbesserung
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:
75 V
Verpackung:
Schlauch
Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung:
5 V
Produktkategorie:
MOSFET
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:
1,5 mOhms
Anzahl der Kanäle:
1 Kanal
Vgs - Tor-Quellspannung:
20 V
Qg - Tor-Gebühr:
545 n. Chr.
Hersteller:
IXYS
Einleitung
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