FGA20N120FTDTU
fabricant:
Fairchild Halbleiter
Beschreibung:
IGBT-Transistoren 1200 V N-Chan-Grench
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
1200 V
Packung / Gehäuse:
TO-3PN-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
+/- 25 V
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Einzigartig
Hersteller:
Fairchild Halbleiter
Einleitung
Die FGA20N120FTDTU, von Fairchild Semiconductor, sind IGBT Transistoren. Was wir anbieten haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem globalen Markt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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