TK12A60D
fabricant:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 12A bis 220SIS
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
MOSFET
Vgs (maximal):
±30V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
12A (Ta)
@ qty:
0
FET-Typ:
N-Kanal
Typ der Montage:
Durchs Loch
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
38nC @ 10V
Hersteller:
Toshiba
Minimale Quantität:
2500
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Fabrikbestand:
0
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Fet-Eigenschaft:
-
Reihe:
π-MOSVII
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1800 pF @ 25V
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220SIS
Status des Teils:
Aktiv
Verpackung:
Schlauch
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
550 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (maximal):
45W (Tc)
Packung / Gehäuse:
Voller Satz TO-220-3
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 1mA
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
600 V
Einleitung
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