SUM90P10-19L-E3
fabricant:
Siliconix / Vishay
Beschreibung:
MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
P-Kanal
Produktkategorie:
MOSFET
Typische Einschaltverzögerungs-Zeit:
20 ns
Pd-Leistungsausfall:
375 W
Vgs-Gate-Source-Spannung:
-20 V, +20 V
Mindestbetriebstemperatur:
-55 °C
Paket:
Spirale
Handelsname:
TrenchFET
Herbstzeit:
870 ns
Hersteller:
Siliconix / Vishay
Verpackungsmenge ab Werk:
800
Typische Abschaltverzögerungs-Zeit:
145 ns
Ausstattung:
Einzigartig
Art der Ware:
MOSFET
Vorwärtsüberführbarkeit-Minimum:
80 S
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Anstiegszeit:
510 ns
Anzahl der Kanäle:
1 Kanal
Handelsmarke:
Vishay Halbleiter
Qg-Gate-Ladung:
217 n. Chr.
Id-kontinuierlicher Abfluss:
90 A
Transistortyp:
1 P-Kanal
Installations-Art:
SMD/SMT
Paket/Kasten:
TO-263-3
Kanal-Modus:
Verbesserung
Technologie:
Si
Vds-Drain-Quellen-Ausfallspannung:
100 V
Reihe:
SUMME
Rds Auf-Abflussquelle auf Widerstand:
19 mOhms
Vgs th-Schwellenspannung der Torquelle:
1 V
Einleitung
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