NVD5117PLT4G
fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET 60V T1 PCH DPAK
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
P-Kanal
Technologie:
Si
Produktkategorie:
MOSFET
Montageart:
SMD/SMT
Mindestbetriebstemperatur:
- 55 C
Packung / Gehäuse:
TO-252-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 175 C
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:
- 60 V
Verpackung:
Spirale
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:
- 61 A
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:
16 mOhms
Anzahl der Kanäle:
1 Kanal
Vgs - Tor-Quellspannung:
20 V
Qg - Tor-Gebühr:
85 n. Chr.
Hersteller:
Ein- und zweimal
Einleitung
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