FQB4N80TM
fabricant:
Fairchild Halbleiter
Beschreibung:
MOSFET 800V N-Kanal QFET
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
N-Kanal
Technologie:
Si
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:
3.9 A
Montageart:
SMD/SMT
Mindestbetriebstemperatur:
- 55 C
Packung / Gehäuse:
TO-263-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Kanal-Modus:
Verbesserung
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:
800 V
Verpackung:
Spirale
Produktkategorie:
MOSFET
Anzahl der Kanäle:
1 Kanal
Vgs - Tor-Quellspannung:
30 V
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:
3,6 OHM
Hersteller:
Fairchild Halbleiter
Einleitung
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