BSH205G2R
fabricant:
Nexperia USA Inc.
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
950mV @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
6.5 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
170mOhm @ 2A, 4.5V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
±8V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
418 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q100
Supplier Device Package:
TO-236AB
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
2A (Ta)
Power Dissipation (Max):
480mW (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
BSH205
Einleitung
P-Kanal 20 V 2A (Ta) 480mW (Ta) Oberflächenbefestigung TO-236AB
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