PMV30UN2R
fabricant:
Nexperia USA Inc.
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
900mV @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
11 nC @ 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
32mOhm @ 4.2A, 4.5V
FET-Typ:
N-Kanal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.2V, 4.5V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
±12V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
655 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-236AB
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
4.2A (Ta)
Power Dissipation (Max):
490mW (Ta), 5W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
PMV30
Einleitung
N-Kanal 20 V 4.2A (Ta) 490mW (Ta), 5W (Tc) Oberflächenhalter TO-236AB
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