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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.

fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
15 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
45mOhm @ 3.9A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
540 pF @ 20 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
3A (Ta)
Power Dissipation (Max):
750mW (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI2318
Einleitung
N-Kanal 40 V 3A (Ta) 750 mW (Ta) Oberflächenanlage SOT-23-3 (TO-236)
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