SI1416EDH-T1-GE3
fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
12 nC @ 10 V
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Series:
TrenchFET®
Vgs (Max):
±12V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.4V @ 250µA
Supplier Device Package:
SC-70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
58mOhm @ 3.1A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
2.5V, 10V
Power Dissipation (Max):
2.8W (Tc)
Packung / Gehäuse:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
3.9A (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Basisproduktnummer:
SI1416
Einleitung
N-Kanal 30 V 3.9A (Tc) 2.8W (Tc) Oberflächenhalter SC-70-6
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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2N7002E-T1-E3 |
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
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SIR872ADP-T1-RE3 |
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I. |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
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SUD50N04-8M8P-4GE3 |
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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