SI4431BDY-T1-E3
fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
20 nC @ 5 V
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Series:
TrenchFET®
Vgs (maximal):
± 20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Lieferanten-Gerätepaket:
8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
30mOhm @ 7.5A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max):
1.5W (Ta)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
5.7A (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI4431
Einleitung
P-Kanal 30 V 5,7 A (Ta) 1,5 W (Ta) Oberflächenbefestigung 8-SOIC
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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2N7002E-T1-E3 |
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I. |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
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SUD50N04-8M8P-4GE3 |
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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