Stellvertretung für die Überwachung der Sicherheit
fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 100µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
5.3 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
10Ohm @ 500mA, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
1200 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
124 pF @ 100 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101
Supplier Device Package:
H2Pak-2
Mfr:
STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1.5A (Tc)
Power Dissipation (Max):
60W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
STH2N120
Einleitung
N-Kanal 1200 V 1,5 A (Tc) 60 W (Tc) Oberflächenbefestigung H2Pak-2
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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