SI7157DP-T1-GE3
fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Fet-Eigenschaft:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.4V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® SO-8
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
625 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.6mOhm @ 25A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
2.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
±12V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
22000 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
60A (Tc)
Power Dissipation (Max):
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI7157
Einleitung
P-Kanal 20 V 60 A (Tc) 6,25 W (Ta), 104 W (Tc) Oberflächenbefestigung PowerPAK® SO-8
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
SQSA12CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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2N7002E-T1-E3 |
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I. |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
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SUD50N04-8M8P-4GE3 |
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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SQSA12CENW-T1_GE3 |
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
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