Filter
Filter
Getrennte Halbleiter-Produkte
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FCP190N60E |
MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
FQA19N60 |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
NP32N055SLE-E1-AY |
NP32N055 - POWER FIELD-EFFECT TR
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
FCP36N60N |
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPREMO
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
SPP08N80C3 |
SPP08N80 - 800V COOLMOS N-CHANNE
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
IPP60R180P7 |
IPP60R180 - 600V COOLMOS N-CHANN
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Erzeugnisse. |
PSMN025-80YL - N-CHANNEL 80V, LO
|
NXP USA Inc.
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen, die mit einem Fahrzeug ausgestattet sind. |
PSMN021-100YL - N-CHANNEL 100V,
|
NXP USA Inc.
|
|
|
|
|
|
IPA60R280P6 |
600V, N-CHANNEL POWER MOSFET
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
NX3008PBK,215 |
NOW NEXPERIA NX3008PBK - SMALL S
|
NXP USA Inc.
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
|
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. ist eine Firma mit Sitz in Yangzhou.
|
|
|
|
|
|
BSS123 |
N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L
|
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. ist eine Firma mit Sitz in Yangzhou.
|
|
|
|
|
|
Die Ausrüstung ist in Form von |
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
|
Mikrochiptechnik
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXTB30N100L |
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
Siehe auch: |
MOSFET N-CH 500V 51A ISOTOP
|
Mikrochiptechnik
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFX26N120P |
MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247-3
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFK26N100P |
MOSFET N-CH 1000V 26A bis 264AA
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
Sie ist nicht mehr in der Lage. |
MOSFET N-CH 1000V 23A TO264
|
Mikrochiptechnik
|
|
|
|
|
|
Die Kommission wird die folgenden Maßnahmen ergreifen: |
MOSFET N-CH 800V 27A TO264
|
Mikrochiptechnik
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET N-CH 500V 14A TO247
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFK34N80 |
MOSFET N-CH 800V 34A TO-264AA
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFX34N80 |
MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFK26N90 |
MOSFET N-CH 900V 26A TO-264
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFK102N30P |
MOSFET N-CH 300V 102A TO264AA
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFH14N100Q2 |
MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFX180N10 |
MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFH6N100 |
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247AD
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXTH64N65X |
MOSFET N-CH 650V 64A TO247
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET N-CH 250V 80A bis 247
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFT20N100P |
MOSFET N-CH 1000V 20A bis 268
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFH12N100 |
MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 70V 76A TO247AD
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXTA3N150HV-TRL |
MOSFET N-CH 1500V 3A TO263HV
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET N-CH 1000V 7A TO220AB
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
FQH8N100C |
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247-3
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von |
MOSFET N-CH 150V 110A bis 220AB
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
FCPF16N60NT |
MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
FCA20N60 |
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
IXFP12N50P |
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
|
IXYS
|
|
|