FQD7N30TM
fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
17 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
700mOhm @ 2,75A, 10V
FET Type:
N-Channel
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
300 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Obsolete
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
610 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
QFET®
Supplier Device Package:
TO-252AA
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
5.5A (Tc)
Power Dissipation (Max):
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FQD7N30
Einleitung
N-Kanal 300 V 5,5 A (Tc) 2,5 W (Ta), 50 W (Tc) Oberflächenhalter TO-252AA
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