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MOSFET
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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IPD50P04P4-13 |
MOSFET P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
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Infineon Technologies
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SIS413DN-T1-GE3 |
MOSFET -30V 9,4mOhm@10V -18A P-Ch G-III
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Vishay Halbleiter
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IPD35N10S3L-26 |
MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
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Infineon Technologies
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IPW60R070C6 |
MOSFET N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6
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Infineon Technologies
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IPW65R041CFD |
MOSFET N-Ch 700V 68.5A TO247-3 CoolMOS CFD2
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Infineon Technologies
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SI4190ADY-T1-GE3 |
MOSFET 100V 8,8mOhm@10V 18,4A N-Ch MV T-FET
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Vishay Halbleiter
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FDD8444 |
MOSFET Niedrigspannung
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Fairchild Halbleiter
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IPD90P04P4-05 |
MOSFET P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
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Infineon Technologies
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SI4909DY-T1-GE3 |
MOSFET 40V 8A Doppel-PCH
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Vishay Halbleiter
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IPD30N10S3L-34 |
MOSFET N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T
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Infineon Technologies
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SIS412DN-T1-GE3 |
MOSFET 30V 12A 15,6W
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Vishay Halbleiter
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NDS352AP |
MOSFET P-Ch LL FET Erweiterungsmodus
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Fairchild Halbleiter
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET P-Ch -40V -120A D2PAK-2 OptiMOS-P2
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Infineon Technologies
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IPD50N10S3L-16 |
MOSFET N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
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Infineon Technologies
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DMN2400UV-7 |
MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
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Dioden eingebunden
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DMN2004DWK-7 |
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363
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Dioden eingebunden
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FDS4559 |
MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
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Einheitlich
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FDPC8011S |
MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN
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Einheitlich
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DMN32D2LV-7 |
MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563
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Dioden eingebunden
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FDS6930B |
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
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Einheitlich
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DMP58D0SV-7 |
MOSFET 2P-CH 50V 0,16A SOT-563
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Dioden eingebunden
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FDS6990A |
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
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Einheitlich
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FDS8978 |
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
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Einheitlich
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FDD3510H |
MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
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Einheitlich
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FDPC5018SG |
MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56
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Einheitlich
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IRF9389TRPBF |
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
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Infineon Technologies
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DMN63D8LDW-7 |
MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
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Dioden eingebunden
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NTJD4001NT1G |
MOSFET 2N-CH 30V 0,25A SOT-363
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Einheitlich
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DMG6602SVT-7 |
MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
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Dioden eingebunden
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FDG6322C |
MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
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Einheitlich
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FDC6420C |
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT-6
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Einheitlich
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DMC2020USD-13 |
MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO
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Dioden eingebunden
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FDS4935BZ |
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
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Einheitlich
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IRF7351TRPBF |
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
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Infineon Technologies
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FDMC89521L |
MOSFET 2N-CH 60V 8.2A POWER33
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Einheitlich
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DMG1016UDW-7 |
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
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Dioden eingebunden
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FDG8842CZ |
MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6
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Einheitlich
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Die Ausrüstung ist in Form von |
MOSFET N-CH 1KV 8.3A bis 247
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STMikroelektronik
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DMG2305UX-13 |
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
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Dioden eingebunden
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NDS0610 |
MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
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Einheitlich
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FDV303N |
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
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Einheitlich
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DMN3404L-7 |
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23
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Dioden eingebunden
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DMP2305U-7 |
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT-23
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Dioden eingebunden
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NTS4101PT1G |
MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323
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Einheitlich
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DMG2307L-7 |
MOSFET P-CH 30V 2,5A SOT-23
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Dioden eingebunden
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DMP2035U-7 |
MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT-23
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Dioden eingebunden
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FDN338P |
MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3
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Einheitlich
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FDN352AP |
MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3
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Einheitlich
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DMG7430LFG-7 |
MOSFET N-CH 30V 10,5A PWRDI3333
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Dioden eingebunden
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NDS356AP |
MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3
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Einheitlich
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