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MOSFET
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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FDS3580 |
MOSFET N-CH 80V 7,6A 8SOIC
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Einheitlich
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IRLI540NPBF |
MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP
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Infineon Technologies
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Stellvertretung der Kommission |
MOSFET N-CH 650V 58A bis 247
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STMikroelektronik
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IRL40SC228 |
MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK
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Infineon Technologies
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STV270N4F3 |
MOSFET N-CH 40V 270A POWERSO-10
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STMikroelektronik
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IRF7854TRPBF |
MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
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Infineon Technologies
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AUIRLR3410TRL |
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
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Infineon Technologies
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IRL7472L1TRPBF |
MOSFET N-CH 40V 375A
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Infineon Technologies
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IRFR5305TRLPBF |
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
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Infineon Technologies
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IRFS7440TRLPBF |
MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
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Infineon Technologies
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STH3N150-2 |
MOSFET N-CH 1500V 2,5A H2PAK-2
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STMikroelektronik
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STW4N150 |
MOSFET N-CH 1500V 4A bis 247
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STMikroelektronik
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IRF7815TRPBF |
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
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Infineon Technologies
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STW12NK90Z |
MOSFET N-CH 900V 11A bis 247
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STMikroelektronik
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IRF200S234 |
Die Daten werden von den zuständigen Behörden übermittelt.
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Infineon Technologies
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IPW60R037CSFD |
HIGH POWER_NEW
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Infineon Technologies
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2SC2078 |
27MHz HF-Leistungsverstärker
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SANYO
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IXFH58N20 |
MOSFET 200V 58A
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET 500V 44A
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IXYS
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FQA28N50 |
MOSFET 500 V N-Kanal QFET
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Fairchild Halbleiter
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SPW47N60CFD |
MOSFET N-Ch 600V 46A TO247-3 CoolMOS CFD
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Infineon Technologies
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET -30V 7mOhm@10V 35A P-Ch G-III
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Vishay Halbleiter
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FCP11N60 |
MOSFET 600V 11A N-CH
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Fairchild Halbleiter
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TPH4R50ANH |
MOSFET U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
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Toshiba
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IXTQ64N25P |
MOSFET 64 Ampere 250V 0,049 Rds
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IXYS
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IPA50R280CE |
MOSFET N-Ch 500V 13A TO220FP-3 CoolMOS CE
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Infineon Technologies
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IPW60R045CP |
MOSFET N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
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Infineon Technologies
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SQ7415AEN-T1_GE3 |
MOSFET 60V 16A 53W AEC-Q101 Qualifiziert
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Vishay Halbleiter
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IPD50P04P4L-11 |
MOSFET P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
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Infineon Technologies
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Einheit für die Bereitstellung von Daten |
MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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Infineon Technologies
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Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET 138 Ampere 300V 0,018 Rds
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IXYS
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IXTQ52N30P |
MOSFET 52 Ampere 300V 0,066 Ohm Rds
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IXYS
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IPD90N04S4-04 |
MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
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Infineon Technologies
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BSS123WQ-7-F |
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA
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Dioden eingebunden
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SI7540ADP-T1-GE3 |
MOSFET N & P-Chnl 20-Volt D-S
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Siliconix / Vishay
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FQPF15P12 |
MOSFET 120V P-Kanal QFET
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Fairchild Halbleiter
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IRF9630PBF |
MOSFET P-Chan 200V 6,5 Ampere
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Vishay Halbleiter
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IPD50N08S4-13 |
MOSFET N-Kanal 75/80V
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Infineon Technologies
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IPW65R065C7 |
MOSFET HOHES POWER_NEW
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Infineon Technologies
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FCD4N60TM |
MOSFET N-CH/600V/7A/SuperFET
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Fairchild Halbleiter
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FDC2612 |
MOSFET 200V NCh PowerTrench
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Fairchild Halbleiter
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DMP6023LE-13 |
MOSFET P-Ch 60V Enh-Modus 145W 20Vgs 2569pF
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Dioden eingebunden
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 zu entnehmen. |
MOSFET 12V 5.1A 2,5W 35 Mohms @ 4,5V
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Vishay Halbleiter
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FDC642P |
MOSFET SSOT-6 P-CH -20V
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Fairchild Halbleiter
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SIZF906DT-T1-GE3 |
MOSFET N Ch 30Vds 20Vgs
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Siliconix / Vishay
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SI7170DP-T1-GE3 |
MOSFET 30V 40A 48W 3,4mAh @ 10V
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Vishay Halbleiter
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IXFR140N30P |
MOSFET 82 Ampere 300V 0,026 Ohm Rds
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IXYS
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SI7228DN-T1-GE3 |
MOSFET 30V 26A 23W 20mohm @ 10V
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Vishay Halbleiter
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SI7942DP-T1-GE3 |
MOSFET Dual N-Ch 100V 49mohm @ 10V
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Vishay Halbleiter
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IPB65R110CFDA |
MOSFET N-Ch 650V 99,6A D2PAK-2
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Infineon Technologies
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