IRF9389TRPBF
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Lieferanten-Gerätepaket:
8-SO
Produktkategorie:
MOSFET
Fabrikbestand:
0
Minimale Quantität:
4000
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
398pF @ 15V
Packung / Gehäuse:
8-SOIC (0.154" , 3.90mm Breite)
Status des Teils:
Aktiv
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
6.8A, 4.6A
Verpackung:
Band und Rolle (TR)
@ qty:
0
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
FET-Typ:
N und P-Kanal
Fet-Eigenschaft:
Tor des logischen Zustandes
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
14nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
27 mOhm @ 6,8A, 10V
Leistung - Max.:
2W
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.3V @ 10μA
Reihe:
HEXFET®
Hersteller:
Infineon Technologies
Einleitung
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