FDS6930B
fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Lieferanten-Gerätepaket:
8-SOIC
Produktkategorie:
MOSFET
Fabrikbestand:
0
Minimale Quantität:
2500
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
412pF @ 15V
Packung / Gehäuse:
8-SOIC (0.154" , 3.90mm Breite)
Status des Teils:
Aktiv
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
5.5A
Verpackung:
Band und Rolle (TR)
@ qty:
0
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
FET-Typ:
N-Kanal 2 (Doppel)
Fet-Eigenschaft:
Tor des logischen Zustandes
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
3.8nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
38 mOhm @ 5,5 A, 10 V
Leistung - Max.:
900mW
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Reihe:
PowerTrench®
Hersteller:
Ein- und zweimal
Einleitung
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