IPD30N10S3L-34
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
N-Kanal
Technologie:
Si
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:
30 A
Montageart:
SMD/SMT
Handelsbezeichnung:
OptiMOS
Mindestbetriebstemperatur:
- 55 C
Packung / Gehäuse:
TO-252-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 175 C
Kanal-Modus:
Verbesserung
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:
100 V
Verpackung:
Spirale
Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung:
1.2 V
Produktkategorie:
MOSFET
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:
25.8 mOhms
Anzahl der Kanäle:
1 Kanal
Vgs - Tor-Quellspannung:
20 V
Qg - Tor-Gebühr:
31 nC
Hersteller:
Infineon Technologies
Einleitung
Die IPD30N10S3L-34, von Infineon Technologies, ist ein MOSFET. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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