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SIS412DN-T1-GE3

fabricant:
Vishay Halbleiter
Beschreibung:
MOSFET 30V 12A 15,6W
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Verpackung:
Spirale
Technologie:
Si
Produktkategorie:
MOSFET
Handelsbezeichnung:
TrenchFET
Hersteller:
Vishay Halbleiter
Einleitung
Das SIS412DN-T1-GE3 von Vishay Semiconductors ist ein MOSFET.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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