FDD3510H
fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-252-4L
Produktkategorie:
MOSFET
Fabrikbestand:
75000
Minimale Quantität:
2500
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
800 pF @ 40V
Packung / Gehäuse:
TO-252-5, DPak (4 Führungen + Vorsprung), TO-252AD
Status des Teils:
Aktiv
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
4.3A, 2.8A
Verpackung:
Band und Rolle (TR)
@ qty:
0
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
FET-Typ:
N und P-Kanal, allgemeiner Abfluss
Fet-Eigenschaft:
Tor des logischen Zustandes
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
80 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
80 mOhm @ 4,3 A, 10 V
Leistung - Max.:
1.3W
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Reihe:
PowerTrench®
Hersteller:
Ein- und zweimal
Einleitung
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