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Gedächtnis
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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K4B2G1646F-BCK0 |
96FBGA ohne Blei und ohne Halogen
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Halbleiter von Samsung
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K4H511638J-LCCC |
512 Mb C-Die DDR SDRAM Spezifikation
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Halbleiter von Samsung
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K9F1G08U0E-SCB0 |
1 GB E-Die NAND-Flash
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Halbleiter von Samsung
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K4W1G1646E-HC12 |
Grafisches Gedächtnis
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Halbleiter von Samsung
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K4T1G084QF-BCF7 |
1 GB F-die DDR2 SDRAM
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Halbleiter von Samsung
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K4B4G1646D-BCMA |
4Gb B-Würfel DDR3 SDRAM Olny x16
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Halbleiter von Samsung
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MT48LC16M16A2P-6A: G |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
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Mikrontechnologie
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MT48LC8M16A2B4-6A: L |
IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
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Mikrontechnologie
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MT48LC8M16A2P-6A: L |
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
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Mikrontechnologie
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MT41K256M16HA-125IT: E |
IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
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Mikrontechnologie
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Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1290/2013 aufgeführten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1290/2013 übermittelt. |
IC FLASH 32G MMC 100LBGA
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Mikrontechnologie
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MT29F16G08ABACAWP-ITZ: |
IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP
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Mikrontechnologie
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MT29F1G08ABAEAWP: E |
IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
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Mikrontechnologie
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JS28F256M29EWH |
IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA
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Mikrontechnologie
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MT29F8G08ABACAWP-IT: C |
IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I
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Mikrontechnologie
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M29W128GH7AN6E |
IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP
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Mikrontechnologie
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MT41J128M16JT-093: K |
IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
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Mikrontechnologie
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USE Geflügel |
IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
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Mikrontechnologie
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N25Q032A13EF440E |
Die Ausrüstung wird von der Kommission erstellt.
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Mikrontechnologie
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N25Q128A13EF740E |
IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8VDFPN
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Mikrontechnologie
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
IC FLASH 32M PARALLEL 64EASYBGA
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Mikrontechnologie
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MT48LC2M32B2P-6A: J |
IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II
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Mikrontechnologie
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MT48LC32M8A2P-6A:G |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
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Mikrontechnologie
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MT48LC4M16A2P-6A: J |
IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
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Mikrontechnologie
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W29N01GVSIAA |
IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
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Winbond Elektronik
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W25Q16CLSSIG |
IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8SOIC
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Winbond Elektronik
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W25Q32FVSSIQ |
IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC
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Winbond Elektronik
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W25Q128FVPIQ |
IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON
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Winbond Elektronik
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
IC FLASH 32M PARALLEL 64EASYBGA
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Mikrontechnologie
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M25P128-VMF6PB |
IC FLASH 128M SPI 54MHZ 16SO W
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Mikrontechnologie
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MT47H32M16NF-25E: H |
IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
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Mikrontechnologie
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MT29F32G08CBACAWP-Z: C |
IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I
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Mikrontechnologie
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MT2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F |
IC FLASH 64G PARALLEL 48TSOP I
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Mikrontechnologie
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N25Q256A81ESF40G |
IC FLASH 256M SPI 108MHZ 16SOP2
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Mikrontechnologie
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EDW4032BABG-70-F-D |
IC-RAM 4G PARALLEL 170FBGA
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Mikrontechnologie
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W25Q128FVSIQ |
IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC
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Winbond Elektronik
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W25Q256FVEIQ |
IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON
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Winbond Elektronik
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W25Q16DVSSIQ |
IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC
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Winbond Elektronik
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W25Q80BLUXIG |
IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8USON
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Winbond Elektronik
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USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 4G PARALLEL 1 GHz 96FBGA
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Mikrontechnologie
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MT41K512M16HA-125: |
DRAM 8G 1,35V 512Mx16 800MHz DDR3 0C-90C
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Mikrontechnologie
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USE Gewichtung von Gewichtsverlust |
IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
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Mikrontechnologie
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TC58NYG0S3HBAI6 |
EEPROM 1,8 V, 1 Gbit CMOS und NAND EEPROM
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Toshiba
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TC58BVG0S3HTA00 |
EEPROM 3,3 V, 1 Gbit CMOS und NAND EEPROM
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Toshiba
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TC58BVG2S0HTA00 |
EEPROM 3,3 V, 4 Gbit CMOS und NAND EEPROM
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Toshiba
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TC58NVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3,3 V, 2 Gbit CMOS und NAND EEPROM
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Toshiba
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TC58NVG3S0FTA00 |
Flash-Speicher 8 GB 3.3 V SLC NAND Flash-Speicher EEPROM
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Toshiba
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USE Gefahrenabweichung |
IC FLASH 256G PARALLEL 83MHZ
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Mikrontechnologie
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Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht für die Verwendung von Zellstoff. |
IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
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Mikrontechnologie
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