TC58BVG2S0HTA00
fabricant:
Toshiba
Beschreibung:
EEPROM 3,3 V, 4 Gbit CMOS und NAND EEPROM
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Versorgungs-Strom - maximal:
30 mA
Produktkategorie:
EEPROM
Montageart:
SMD/SMT
Mindestbetriebstemperatur:
0 C
Organisation:
512 M x 8
Packung / Gehäuse:
TSOP-48
Höchstbetriebstemperatur:
+ 70 °C
Speichergröße:
4 Gbit
Verpackung:
Tray
Reihe:
TC58BVG2S0
Betriebsspannung:
3.3 V
Schnittstellentyp:
Parallel
Maximale Uhrfrequenz:
-
Hersteller:
Toshiba
Einleitung
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