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Gedächtnis
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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MT25QU512ABB8E12-0SIT |
IC FLASH 512M SPI 133MHZ TBGA
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Mikrontechnologie
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MT28EW01GABA1LPC-0SIT |
IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA
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Mikrontechnologie
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USE Gewichtung der Gewichtung |
IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
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Mikrontechnologie
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MT25QL128ABA8ESF-0SIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOP2
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Mikrontechnologie
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W25Q64FVSSIQ |
IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC
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Winbond Elektronik
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W25Q64FVZPIQ |
IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON
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Winbond Elektronik
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MT25QU256ABA8ESF-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC FLASH 256M PARALLEL 56VFBGA
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Mikrontechnologie
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S29GL032N90FFA040 |
Flash-Speicher noch
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Zypress Halbleiter
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USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 8G PARALLEL 1,2 GHz
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Mikrontechnologie
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MT40A1G8SA-075: E |
IC DRAM 8G PARALLEL 1,33 GHz
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Mikrontechnologie
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MT29F64G08AECDBJ4-6ITR: |
IC FLASH 64G PARALLEL 166MHZ
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Mikrontechnologie
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N25Q128A13ESFA0F |
IC FLASH 128M SPI 108MHZ 16SOP2
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Mikrontechnologie
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MT25QL256ABA1EW9-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WPDFN
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Mikrontechnologie
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MT28EW01GABA1HJS-0SIT |
IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 4G Parallel 800 MHz
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Mikrontechnologie
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MT28EW01GABA1LJS-0SIT |
IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP
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Mikrontechnologie
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MTA4ATF51264HZ-2G6E1 |
IC DRAM 32G PARALLEL 1333 MHz
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Mikrontechnologie
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MT25QL128ABA8E12-0AAT |
IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
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Mikrontechnologie
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MT25QL256ABA8E12-0AAT |
IC FLASH 256M SPI 24TPBGA
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Mikrontechnologie
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MT25QU01GBBB8E12-0AAT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
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Mikrontechnologie
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MT29F1G01ABAFDWB-IT:F |
IC FLASH 1G SPI UPDFN
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Mikrontechnologie
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MT29F2G08ABAGAH4-IT: G |
IC FLASH 2G PARALLEL FBGA
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Mikrontechnologie
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MT2F2G16ABAEAWP-AIT:E |
IC FLASH 2G PARALLEL TSOP
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Mikrontechnologie
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MT29F4G16ABADAWP-AIT |
IC FLASH 4G PARALLEL TSOP
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Mikrontechnologie
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MT25QL01GBBB8E12-0AUT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 16G PARALLEL 1,2 GHz
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Mikrontechnologie
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MT40A512M16LY-062E: E |
IC DRAM 8G PARALLEL 1,6 GHz
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Mikrontechnologie
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MT51J256M32HF-70:A |
IC-RAM 8G PARALLEL 1,75 GHz
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Mikrontechnologie
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MTFC64GAJAECE-AIT |
IC FLASH 512G MMC
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Mikrontechnologie
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MTFC16GAKAEEF-AIT |
IC FLASH 128G MMC
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC-RAM 8G PARALLEL 2,0 GHz FBGA
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Mikrontechnologie
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MTFC128GAPALNS-AIT |
IC FLASH 1T MMC
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Mikrontechnologie
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1224/2009 erfasst. |
IC FLASH 256G MMC
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Mikrontechnologie
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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert. |
IC FLASH 512G MMC
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Mikrontechnologie
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MTFC8GAMALNA-AAT |
IC FLASH 64G MMC
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 4G PARALLEL 1067 MHz
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Mikrontechnologie
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MT35XU512ABA1G12-0AUT |
SERIAL NOR 512M MT35X 45NM IT
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Mikrontechnologie
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Ich bin nicht derjenige, der dich anspricht. |
Flash-Speicher 16 GB NAND EEPROM
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Toshiba
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MT25QL01GBBB1EW9-0SIT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 8WPDFN
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Mikrontechnologie
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MT25QL512ABB8E12-0AAT |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
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Mikrontechnologie
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MT25QU01GBBB8ESF-0AAT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 16SOP2
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Mikrontechnologie
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MT25QU512ABB8ESF-0AAT |
IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC FLASH 16G PARALLEL TSOP
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Mikrontechnologie
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MT29F2G01ABAGDWB-IT: G |
IC FLASH 2G SPI UPDFN
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC-RAM 8G PARALLEL 1,5 GHz FBGA
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Mikrontechnologie
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MTFC16GAPALNA-AAT |
EMMC 128G MMC5.1 J56X AAT
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Mikrontechnologie
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Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 übermittelt. |
EMMC 512G MMC5.1 J58X AAT
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Mikrontechnologie
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MT2F8G08ABABAWP-AITX:B |
IC FLASH 8G PARALLEL TSOP
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Mikrontechnologie
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