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Gedächtnis
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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MT40A1G16WBU-083E:B |
IC DRAM 16G PARALLEL 1,2 GHz
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 8G PARALLEL 1,33 GHz
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Mikrontechnologie
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MT40A512M16JY-075E:B |
IC DRAM 8G PARALLEL 1,33 GHz
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Mikrontechnologie
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MT25QU256ABA1EW7-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WPDFN
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Mikrontechnologie
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MT35XU512ABA1G12-0AAT |
Serial NOR SLC 64MX8 TBGA
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Mikrontechnologie
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S29GL032N90FFIS42 |
Flash-Speicher noch
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Zypress Halbleiter
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MTA36ASF4G72PZ-2G9E2 |
IC DRAM 288G PARALLEL 1467MHZ
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Mikrontechnologie
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TC58NVG2S3ETA00 |
Flash-Speicher 4 GB 3,3 V SLC NAND Flash Serielles EEPROM
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Toshiba
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert. |
IC FLASH 128G MMC
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Mikrontechnologie
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Ich bin nicht derjenige, der dich anspricht. |
Flash-Speicher 4GB NAND EEPROM
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Toshiba
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THGBMHG8C2LBAIL |
Flash-Speicher 32 GB NAND EEPROM w/CQ
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Toshiba
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USE Gefahrenabweichung |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
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Mikrontechnologie
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TC58NVG1S3ETAI0 |
Flash-Speicher 1 GB 3.3 V SLC NAND Flash Serien EEPROM
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Toshiba
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MTFC32GAPALBH-AIT |
IC FLASH 256G MMC
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Mikrontechnologie
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. |
IC FLASH 512G MMC
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Mikrontechnologie
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MTFC64GAPALBH-AIT |
IC FLASH 512G MMC
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Mikrontechnologie
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MT25QU02GCBB8E12-0SIT |
IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA
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Mikrontechnologie
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IS25LQ040B-JNLE-TR |
Flash-Speicher 4Mb QSPI, 8 Stift-BESCHWICHTIGUNGSMITTEL 150Mil, RoHS UND, T&R
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ISSI
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N25Q032A13ESE40F |
IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8SOP2
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Mikrontechnologie
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S34ML02G104TFI010 |
Flash-Speicher 2G 3V 25ns NAND-Flash
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Zypress Halbleiter
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MT25TL01GBBB8ESF-0AAT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 16SOP2
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Mikrontechnologie
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S34ML01G100TFI000 |
Flash-Speicher 1Gb 3V 25ns NAND Flash
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Spansion / Zypressen
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S34ML04G200TFI000 |
Flash-Speicher 4G, 3V, 25ns NAND Flash
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Zypress Halbleiter
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IS25LQ040B-JBLE-TR |
Flash-Speicher 4Mb QSPI, 8 Stift-BESCHWICHTIGUNGSMITTEL 208Mil, RoHS UND, T&R
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ISSI
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S25FL164K0XMFI013 |
Flash-Speicher 64M, 3.0V, 108Mhz serienmäßig NOCH grell
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Zypress Halbleiter
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IS25LQ512B-JNLE |
Flash-Speicher 512Kb QSPI, 8-Pin SOP 150Mil, RoHS, ET
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ISSI
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IS25LQ040B-JNLE |
Flash-Speicher 4 MB QSPI, 8-poliges SOP 150 Mil, RoHS, ET
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ISSI
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W25Q32BVSSJG |
IC-Flash-Speicher 32 MB
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Winbond Elektronik
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MT25QL128ABB8E12-0AUT |
IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
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Mikrontechnologie
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S29PL032J70BFI120 |
Ähnlichkeit des Flash-Speicher-32Mb 3V 70ns NOCH grelles
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Zypress Halbleiter
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S34ML01G100BHI000 |
Flash-Speicher 1Gb 3V 25ns NAND Flash
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Zypress Halbleiter
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K9F5608U0D-PCB |
32 M x 8 Bit NAND-Flashspeicher
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Halbleiter von Samsung
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K4A8G085WB-BCPB |
8 GB B-DIE DDR4 SDRAM
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Halbleiter von Samsung
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K4A8G165WC-BCTD |
8 GB B-DIE DDR4 SDRAM x16
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Halbleiter von Samsung
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K4B4G0846Q-HYK0 |
DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Spezifikation
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Halbleiter von Samsung
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K4T1G164QE-HCE7 |
1 GB E-die DDR2 SDRAM 60FBGA/84FBGA mit bleifreiem und halogenfreiem (RoHS-konform)
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Halbleiter von Samsung
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S25FL127SABBHIC00 |
Flash-Speicher 128 MB 3V 108MHz Serielle NOR-Flash
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Spansion / Zypressen
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K9GAG08U0E-SCB0 |
16 GB E-Die NAND-Flash
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Halbleiter von Samsung
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K4G20325FD-FC03 |
Grafisches Gedächtnis
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Halbleiter von Samsung
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K4G41325FE-HC28 |
Grafisches Gedächtnis
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Halbleiter von Samsung
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K4E6E304EE-EGCF |
Speicher-IC
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Halbleiter von Samsung
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S29WS512P0SBFW000 |
Ähnlichkeit des Flash-Speicher-512Mb 1.8V 80Mhz NOCH grelles
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Spansion / Zypressen
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S29WS256P0PBFW000 |
Flash-Speicher 256 MB, 1,8 V, 66 MHz, paralleler NOR-Flash
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Spansion / Zypressen
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S29GL032N90TFI030 |
Flash-Speicher 3V 32 Mb Float Gate zwei Adresse 90s
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Zypress Halbleiter
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S29GL064N90TFI010 |
Ähnlichkeit des Flash-Speicher-64Mb 3V 90ns NOCH grelles
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Zypress Halbleiter
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IS42S16320B-6TL |
DRAM 512M (32Mx16) 166MHz SDR SDRAM, 3,3 V
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ISSI
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
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Mikrontechnologie
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MT25QL128ABA1ESE-MSIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOP2
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Mikrontechnologie
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IS43TR16128AL-125KBL |
DRAM 2G 1,35V (128M x 16) DDR3 SDRAM
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ISSI
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K4B1G1646G-BCH9 |
Spezifikation für 1 GB D-Die DDR3 SDRAM
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Halbleiter von Samsung
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