TC58NYG0S3HBAI6
fabricant:
Toshiba
Beschreibung:
EEPROM 1,8 V, 1 Gbit CMOS und NAND EEPROM
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Versorgungs-Strom - maximal:
30 mA
Produktkategorie:
EEPROM
Montageart:
SMD/SMT
Organisation:
128 M x 8
Packung / Gehäuse:
VFBGA-67
Speichergröße:
1 Gbit
Verpackung:
Tray
Reihe:
TC58NYG0S3
Schnittstellentyp:
Parallel
Maximale Uhrfrequenz:
-
Hersteller:
Toshiba
Einleitung
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