TC58BVG0S3HTA00
fabricant:
Toshiba
Beschreibung:
EEPROM 3,3 V, 1 Gbit CMOS und NAND EEPROM
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
EEPROM
Organisation:
128 M x 8
Speichergröße:
1 Gbit
Verpackung:
Tray
Reihe:
TC58BVG0S3
Schnittstellentyp:
Parallel
Hersteller:
Toshiba
Einleitung
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