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Einzelne FETs, MOSFETs
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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FDT86246 |
MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
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Einheitlich
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FDS86242 |
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
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Einheitlich
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BUK7M8R0-40EX |
MOSFET N-CH 40V 69A LFPAK33
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Nexperia USA Inc.
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SQ7415CENW-T1_GE3 |
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60-V (D-S)
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Vishay Siliconix
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BUK9M10-30EX |
MOSFET N-CH 30V 54A LFPAK33
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Nexperia USA Inc.
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RD3P050SNTL1 |
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
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Rohm Halbleiter
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SIRA12DP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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DMT10H009SPS-13 |
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
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Dioden eingebunden
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FQD19N10TM |
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
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Einheitlich
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RQ3E100ATTB |
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
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Rohm Halbleiter
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BUK7Y8R7-60EX |
MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK56
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Nexperia USA Inc.
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SIB452DK-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
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Vishay Siliconix
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SISS23DN-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
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Vishay Siliconix
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DMP4015SSS-13 |
MOSFET P-CH 40V 9.1A 8SO
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Dioden eingebunden
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SI4403CDY-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO
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Vishay Siliconix
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FDS6690A |
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
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Einheitlich
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FDMS7698 |
MOSFET N-CH 30V 13.5A/22A 8PQFN
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Einheitlich
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DMP45H4D9HK3-13 |
MOSFET P-CH 450V 4.7A TO252
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Dioden eingebunden
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen. |
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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ZXMP6A17E6QTA |
MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
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Dioden eingebunden
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BUK7M67-60EX |
MOSFET N-CH 60V 14A LFPAK33
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Nexperia USA Inc.
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DMN2009LSS-13 |
MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
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Dioden eingebunden
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ZXM62P03E6TA |
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
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Dioden eingebunden
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SQ2325ES-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
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Vishay Siliconix
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FDC658P |
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
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Einheitlich
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I. |
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
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Vishay Siliconix
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SI2333CDS-T1-E3 |
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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FQD13N06TM |
MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
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Einheitlich
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PMV35EPER |
MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
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Nexperia USA Inc.
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FDMC8878 |
MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
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Einheitlich
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FDN5618P |
MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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DMP2021UFDE-7 |
MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
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Dioden eingebunden
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DMP3050LVT-7 |
MOSFET P CH 30V 4,5A TSOT26
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Dioden eingebunden
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführten Anforderungen. |
MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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PMCM4401VPEZ |
MOSFET P-CH 12V 3.9A 4WLCSP
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Nexperia USA Inc.
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PMV240SPR |
MOSFET P-CH 100V 1.2A TO236AB
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Nexperia USA Inc.
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BUK6D23-40EX |
MOSFET N-CH 40V 8A/19A 6DFN
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Nexperia USA Inc.
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PMZ130UNEYL |
MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
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Nexperia USA Inc.
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DMPH6250SQ-7 |
MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 T&R
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Dioden eingebunden
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Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte |
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
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Rohm Halbleiter
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DMN2058U-7 |
MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
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Dioden eingebunden
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PMV60ENEAR |
MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
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Nexperia USA Inc.
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BSS138K-7 |
MOSFET N-CH 50V SOT23 T&R 3K
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Dioden eingebunden
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2N7002Q-7-F |
MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
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Dioden eingebunden
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NX7002AKVL |
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
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Nexperia USA Inc.
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2N7002K-T1-E3 |
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
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Vishay Siliconix
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IXTT96N15P |
MOSFET N-CH 150V 96A TO268
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IXYS
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Die Bezeichnung des Herstellers darf nicht überschritten werden. |
MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3
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Dioden eingebunden
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IPT015N10N5ATMA1 |
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
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Infineon Technologies
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