PMV35EPER
fabricant:
Nexperia USA Inc.
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
19.2 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
45mOhm @ 4.2A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
793 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-236AB
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
5.3A (Ta)
Power Dissipation (Max):
480mW (Ta), 1.2W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
PMV35
Einleitung
P-Kanal 30 V 5.3A (Ta) 480mW (Ta), 1.2W (Tc) Oberflächenhalter TO-236AB
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