PMV60ENEAR
fabricant:
Nexperia USA Inc.
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
75mOhm @ 3A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
40 V
Vgs (maximal):
± 20V
Product Status:
Active
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
180 pF @ 20 V
Mounting Type:
Surface Mount
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Supplier Device Package:
TO-236AB
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
3A (Ta)
Power Dissipation (Max):
615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
PMV60
Einleitung
N-Kanal 40 V 3A (Ta) 615mW (Ta), 7,5W (Tc) Oberflächenhalter TO-236AB
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