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Rating: 4.5 (118 reviews)

fabricant:

Vishay Siliconix

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

Kategorie:

Getrennte Halbleiter-Produkte

Spezifikationen

Category:

Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs

FET Feature:

Vgs(th) (Max) @ Id:

1.2V @ 250µA

Operating Temperature:

-55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case:

PowerPAK® SC-70-6

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:

72 nC @ 10 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

16.5mOhm @ 7A, 4.5V

FET-Typ:

P-Kanal

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):

2.5V, 4.5V

Paket:

Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®

Drain to Source Voltage (Vdss):

20 V

Vgs (Max):

±12V

Produktstatus:

Aktiv

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:

2130 pF @ 10 V

Mounting Type:

Surface Mount

Series:

TrenchFET®

Supplier Device Package:

PowerPAK® SC-70-6

Mfr:

Vishay Siliconix

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

12A (Tc)

Power Dissipation (Max):

3.5W (Ta), 19W (Tc)

Technology:

MOSFET (Metal Oxide)

Base Product Number:

SIA445

Einleitung

P-Kanal 20 V 12A (Tc) 3,5 W (Ta), 19 W (Tc) Oberflächenbefestigung PowerPAK® SC-70-6

2N7002E-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3

SIR872ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

SI7148DP-T1-E3

MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8

SI7157DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

IRFP21N60LPBF

MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3

SIR880ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

SIR873DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8