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MOSFET
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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FDS5351 |
MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-SOIC
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Einheitlich
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NTD2955T4G |
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
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Einheitlich
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FQD5P20TM |
MOSFET P-CH 200V 3,7A DPAK
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Einheitlich
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FDS8447 |
MOSFET N-CH 40V 12,8A 8-SOIC
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Einheitlich
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ZXMP3A16GTA |
MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT223
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Dioden eingebunden
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FDMC2523P |
MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ
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Einheitlich
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FDD8870 |
MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK
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Einheitlich
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FDS2672 |
MOSFET N-CH 200V 3,9A 8-SOIC
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Einheitlich
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FDD16AN08A0 |
MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK
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Einheitlich
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FQB27P06TM |
MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
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Einheitlich
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FDMS7650 |
MOSFET N-CH 30V POWER56
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Einheitlich
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IRF4905STRLPBF |
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
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Infineon Technologies
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IRF7749L1TRPBF |
MOSFET N-CH 60V 33A DIREKTFETL8
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Infineon Technologies
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IRLS3034TRL7PP |
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7
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Infineon Technologies
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FQP32N20C |
MOSFET N-CH 200V 28A bis 220
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Einheitlich
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FDPF51N25 |
MOSFET N-CH 250V 51A bis 220F
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Einheitlich
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STH315N10F7-2 |
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
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STMikroelektronik
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DMN63D8L-7 |
MOSFET N-CH 30V 0,35A SOT23
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Dioden eingebunden
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NTK3043NT1G |
MOSFET N-CH 20V 210MA SOT-723
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Einheitlich
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DMN2046U-7 |
MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23
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Dioden eingebunden
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DMN601TK-7 |
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
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Dioden eingebunden
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DMP6185SE-13 |
MOSFET PCH 60V 3A SOT223
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Dioden eingebunden
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NTLJS4114NT1G |
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN
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Einheitlich
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FDS6630A |
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
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Einheitlich
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DMP6180SK3-13 |
MOSFET P-CH 60V 14A bis 252
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Dioden eingebunden
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FDD7N20TM |
MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
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Einheitlich
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IPD50N04S4L-08 |
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
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Infineon Technologies
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FDD306P |
MOSFET P-CH 12V 6,7A DPAK
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Einheitlich
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FQD8P10TM |
MOSFET P-CH 100V 6,6A DPAK
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Einheitlich
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BS170 |
MOSFET N-CH 60V 500MA bis 92
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Einheitlich
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STD44N4LF6 |
MOSFET N-CH 40V 44A DPAK
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STMikroelektronik
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FDD3860 |
MOSFET N-CH 100V 6,2A DPAK
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Einheitlich
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FDS86267P |
MOSFET P-CH 150 V
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Einheitlich
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IRFB7545PBF |
MOSFET N CH 60V 95A bis 220AB
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Infineon Technologies
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IRF100S201 |
MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
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Infineon Technologies
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IRFB7430PBF |
MOSFET N CH 40V 195A TO220
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Infineon Technologies
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AUIRF5210STRL |
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
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Infineon Technologies
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IRFU3607PBF |
MOSFET N-CH 75V 56A I-PAK
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Infineon Technologies
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IRFSL3306PBF |
MOSFET N-CH 60V 120A bis 262
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Infineon Technologies
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IRFR4510TRPBF |
MOSFET N CH 100V 56A DPAK
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Infineon Technologies
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AUIRF4905 |
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
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Infineon Technologies
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IRF300P226 |
MOSFET IFX OPTIMOS TO247
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Infineon Technologies
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IRFB3006GPBF |
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
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Infineon Technologies
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2SK2837 |
Silikon-N-Kanal-MOS-Typ (π−MOSV)
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Toshiba-Halbleiter
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2SK2225-E |
MOSFET 2A, 1500V, TO-3PFM, frei von Pb
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Renesas Electronics
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SQS401EN-T1-GE3 |
MOSFET 40V 16A 62.5W P-Ch Automotive
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Vishay Halbleiter
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET 180 Ampere 100V 0,008 Rds
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET 230 Ampere 100 V 0,006 Rds
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IXYS
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HAT2160H-EL-E |
MOSFET MOSFET
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Renesas Electronics
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
MOSFET 50 Ampere 800 V
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IXYS
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