IRFU3607PBF
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-CH 75V 56A I-PAK
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
MOSFET
Vgs (maximal):
± 20V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
56A (Tc)
@ qty:
0
FET-Typ:
N-Kanal
Typ der Montage:
Durchs Loch
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
84nC @ 10V
Hersteller:
Infineon Technologies
Minimale Quantität:
1
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Fabrikbestand:
0
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Fet-Eigenschaft:
-
Reihe:
HEXFET®
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
3070pF @ 50V
Lieferanten-Gerätepaket:
IPAK (TO-251)
Status des Teils:
Aktiv
Verpackung:
Schlauch
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
9 mOhm @ 46A, 10V
Verlustleistung (maximal):
140W (TC)
Packung / Gehäuse:
Führungen des Kurzschluss-TO-251-3, IPak, TO-251AA
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 100μA
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
75V
Einleitung
Der IRFU3607PBF von Infineon Technologies ist ein MOSFET. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, und zwar in Original- und neuen Teilen.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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