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MOSFET
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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NX138AKSX |
MOSFET NX138AKS/SC-88/REEL 7" Q1/T1 *
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Nexperia
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET 300V 73A
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IXYS
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CSD88537ND |
MOSFET 60-V-Doppel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
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Texas Instruments
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IXFH20N100P |
MOSFET 20 Ampere 1000V 1 Rds
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IXYS
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PMZB290UNE2YL |
MOSFET 20V N-Kanal-Grench-MOSFET
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Nexperia
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Einheitliche Datenbank (IPD) |
MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2
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Infineon Technologies
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SI4816BDY-T1-GE3 |
MOSFET Dua lN-Ch w/Schottky 30V 18,5/11,5 Mohm
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Vishay Halbleiter
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SPW20N60C3 |
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
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Infineon Technologies
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FDP33N25 |
MOSFET 250 V N-Kanal-MOSFET
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Fairchild Halbleiter
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IPB014N06N |
MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6
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Infineon Technologies
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IPP60R099P6 |
MOSFET-Hochleistungspreis/Leistungsfähigkeit
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Infineon Technologies
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FQA9N90C |
MOSFET 900V N-Kanal QFET
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Fairchild Halbleiter
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FDS89161LZ |
MOSFET PT5 100V Logikstufe mit Zener
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Fairchild Halbleiter
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IRFL014TRPBF |
MOSFET N-Chan 60V 2,7 Ampere
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Vishay Halbleiter
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DMHC3025LSD-13 |
MOSFET 30V Comp ENH Modus H-Bridge 20V VGSS
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Dioden eingebunden
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Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen. |
MOSFET 850V Ultra Junction Pwr MOSFET der Klasse X
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IXYS
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IXTK82N25P |
MOSFET 82 Ampere 250V 0,035 Rds
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IXYS
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IPD100N04S4-02 |
MOSFET N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2
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Infineon Technologies
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FQP6N40C |
MOSFET 400V N-Ch Q-FET Vorlauf C-Serie
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Fairchild Halbleiter
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2N7002BKS,115 |
MOSFET Dual-N-Channel 60V 300mA
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Nexperia
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MMBF170-7-F |
MOSFET 60V 225mW
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Dioden eingebunden
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PMXB360ENEAZ |
MOSFET 80 V, N-Kanal-Grench-MOSFET
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Nexperia
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SQJ457EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualifiziert
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Siliconix / Vishay
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Si3552DV-T1-GE3 |
MOSFET 30V 2.5/1.8A 1.15W 105/200mohm @ 10V
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Vishay Halbleiter
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FQPF47P06YDTU |
MOSFET -60V -30A P-Kanal
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Fairchild Halbleiter
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IRFR320TRPBF |
MOSFET N-Chan 400V 3,1 Ampere
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Vishay Halbleiter
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PMV55ENEAR |
MOSFET PMV55ENEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/
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Nexperia
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SI3421DV-T1-GE3 |
MOSFET 20V, -20V.0192ohm @-10V -8A P-Ch
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Vishay Halbleiter
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IRFB4310ZPBF |
MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
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Infineon Technologies
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IXTA26P20P |
MOSFET -26,0 Ampere -200V 0,170 Rds
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IXYS
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FQD12N20TM |
MOSFET 200 V N-Kanal QFET
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Fairchild Halbleiter
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FDMS8888 |
MOSFET N-Kanal-PwrTrench 30V 21A 9,5mOhm
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Fairchild Halbleiter
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FDS8958A |
MOSFET SO8 COMP N-P-CH
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Fairchild Halbleiter
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FQP13N10 |
MOSFET N-CH/100V/12.8A 0,18OHM
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Fairchild Halbleiter
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FDS6690AS |
MOSFET 30V NCH POWER TRENCH SYNCFET
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Fairchild Halbleiter
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FDD6630A |
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
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Fairchild Halbleiter
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SI7846DP-T1-E3 |
MOSFET 150V 6,7A 5,2W
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Vishay Halbleiter
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BSC098N10NS5 |
MOSFET Pwr-Transistor 100V OptiMOS 5
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Infineon Technologies
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IPB60R380C6 |
MOSFET N-Ch 600V 10.6A D2PAK-2 CoolMOS C6
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Infineon Technologies
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FDS6679 |
MOSFET SO-8
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Fairchild Halbleiter
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SI7232DN-T1-GE3 |
MOSFET 20V 25A 23W 16,4mAh @ 4,5V
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Vishay Halbleiter
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BSC011N03LS |
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
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Infineon Technologies
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SQ3427AEEV-T1_GE3 |
MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualifiziert
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Vishay Halbleiter
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FDC6318P |
MOSFET 2P-CH 12V 2,5A SSOT-6
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Einheitlich
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DMP4025LSD-13 |
MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO
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Dioden eingebunden
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IRF9358TRPBF |
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
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Infineon Technologies
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NDS9945 |
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
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Einheitlich
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FDMA3023PZ |
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A MICROFET6
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Einheitlich
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FDMA6023PZT |
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
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Einheitlich
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IRF7319TRPBF |
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
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Infineon Technologies
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