FDS86267P
fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET P-CH 150 V
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
MOSFET
Vgs (maximal):
±25V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
2.2A (Ta)
@ qty:
0
FET-Typ:
P-Kanal
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
16nC @ 10V
Hersteller:
Ein- und zweimal
Minimale Quantität:
2500
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
6V, 10V
Fabrikbestand:
0
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Fet-Eigenschaft:
-
Reihe:
PowerTrench®
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1130pF @ 75V
Lieferanten-Gerätepaket:
8-SOIC
Status des Teils:
Aktiv
Verpackung:
Band und Rolle (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
255 mOhm @ 2,2A, 10V
Verlustleistung (maximal):
1W (Ta)
Packung / Gehäuse:
8-SOIC (0.154" , 3.90mm Breite)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
150 V
Einleitung
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