IRFSL3306PBF
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 120A bis 262
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
MOSFET
Vgs (maximal):
± 20V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
120A (Tc)
@ qty:
0
FET-Typ:
N-Kanal
Typ der Montage:
Durchs Loch
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
120 nC bei 10 V
Hersteller:
Infineon Technologies
Minimale Quantität:
1
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Fabrikbestand:
0
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Fet-Eigenschaft:
-
Reihe:
HEXFET®
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
4520 pF bei 50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-262
Status des Teils:
Aktiv
Verpackung:
Schlauch
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4,2 mOhm bei 75 A, 10 V
Verlustleistung (maximal):
230W (TC)
Packung / Gehäuse:
Lange Leinen TO-262-3, ich ² PAK, TO-262AA
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 150µA
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
60 V
Einleitung
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