FQP50N06
fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 50A bis 220
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
MOSFET
Vgs (maximal):
±25V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
50A (Tc)
@ qty:
0
FET-Typ:
N-Kanal
Typ der Montage:
Durchs Loch
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
41nC @ 10V
Hersteller:
Ein- und zweimal
Minimale Quantität:
1
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Fabrikbestand:
0
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Fet-Eigenschaft:
-
Reihe:
QFET®
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1540pF @ 25V
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220-3
Status des Teils:
Nicht für neue Designs
Verpackung:
Schlauch
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
22 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (maximal):
120W (Tc)
Packung / Gehäuse:
TO-220-3
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
60 V
Einleitung
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