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MOSFET
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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IXFK64N50P |
MOSFET 500V 64A
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IXYS
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IPP80N08S2L-07 |
MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS
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Infineon Technologies
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IPD85P04P4-07 |
MOSFET P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2
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Infineon Technologies
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SI9407BDY-T1-E3 |
MOSFET 60V 4,7A 5,0W 120mAh @ 10V
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Vishay Halbleiter
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DMG4435SSS-13 |
MOSFET MOSFET,P-Kanal
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Dioden eingebunden
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IPLU300N04S4-R8 |
MOSFET N-Kanal 30/40V
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Infineon Technologies
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FQB8P10TM |
MOSFET 100V P-Kanal QFET
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Fairchild Halbleiter
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FDG6301N |
MOSFET SC70-6 N-CH 25V
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Einheitlich
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DMG1013UW-7 |
MOSFET P-Ch -20V VDSS Erweiterter Mosfet
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Dioden eingebunden
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IPP60R125CP |
MOSFET N-Ch 600V 25A TO220-3 CoolMOS CP
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Infineon Technologies
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IPW65R110CFDA |
MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3
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Infineon Technologies
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FDD7N60NZTM |
MOSFET N-Kanal 600V 5,5A
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Fairchild Halbleiter
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FDS6676AS |
MOSFET 30 V NCH POWER TRENCH MOSFET
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Fairchild Halbleiter
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FDS6982AS |
MOSFET SO-8 N-CH 1&2 30 V
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
MOSFET 10a 100V 0,165 Ohm 1Ch HS-Logiktor
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Fairchild Halbleiter
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RFD14N05LSM |
MOSFET TO-252AA N-Ch Leistung
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Fairchild Halbleiter
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SIA931DJ-T1-GE3 |
MOSFET -30V 65mOhm@-10V -4,5A P-CH
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Vishay Halbleiter
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SIS892DN-T1-GE3 |
MOSFET 100V 30A 43W 29 Mohms @ 10V
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Vishay Halbleiter
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET-GrenzeP-Leistungs-MOSFETs
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IXYS
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IPG20N06S4L-26 |
MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
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Infineon Technologies
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BSH108,215 |
MOSFET TAPE7 PWR-MO
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Nexperia
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. |
MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
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Infineon Technologies
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SI4925DDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 8.0A 5.0W 29mohm @ 10V
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Vishay Halbleiter
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NTD5865NLT4G |
MOSFET Einzel-N-CH 60V 40A
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Einheitlich
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SI1034CX-T1-GE3 |
MOSFET 20V.61A.22W
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Vishay Halbleiter
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SI7288DP-T1-GE3 |
MOSFET 40V 20A Doppel-N-CH-MOSFET
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Vishay Halbleiter
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BSS84DW-7-F |
MOSFET 2P-CH 50V 0,13A SC70-6
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Dioden eingebunden
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DMN601DWK-7 |
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363
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Dioden eingebunden
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BSS8402DW-7-F |
MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
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Dioden eingebunden
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FDMA2002NZ |
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6-MICROFET
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Einheitlich
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FDMA1032CZ |
MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2
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Einheitlich
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FDS8949 |
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
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Einheitlich
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FQS4901TF |
MOSFET 2N-CH 400V 0.45A 8SOP
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Einheitlich
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FDS8984 |
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC
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Einheitlich
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IRF7501TRPBF |
MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
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Infineon Technologies
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DMP6050SSD-13 |
MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8-SO
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Dioden eingebunden
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FDS9933A |
MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
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Einheitlich
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FDS8960C |
MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC
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Einheitlich
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NVMFD5C650NLT1G |
MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
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Einheitlich
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FDC6301N |
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
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Einheitlich
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DMN6040SSD-13 |
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
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Dioden eingebunden
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FDS3890 |
MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
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Einheitlich
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FDMQ8203 |
MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
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Einheitlich
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DMP2200UDW-7 |
MOSFET 2P-CH 20V 0,9A SOT363
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Dioden eingebunden
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DMG6602SVTQ-7 |
MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
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Dioden eingebunden
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FDG6304P |
MOSFET 2P-CH 25V 0,41A SC70-6
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Einheitlich
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DMC3028LSD-13 |
MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
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Dioden eingebunden
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DMC2038LVTQ-7 |
MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26
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Dioden eingebunden
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DMN26D0UFB4-7 |
MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
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Dioden eingebunden
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DMG3420U-7 |
MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23
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Dioden eingebunden
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