SIR680DP-T1-RE3
fabricant:
Siliconix / Vishay
Beschreibung:
MOSFET N-KANAL 80V PowerPAK SO-8
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
N-Kanal
Technologie:
Si
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:
100 A
Montageart:
SMD/SMT
Mindestbetriebstemperatur:
- 55 C
Packung / Gehäuse:
Einheit für die Bereitstellung von Daten
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Kanal-Modus:
Verbesserung
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:
80 V
Verpackung:
Spirale
Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung:
2 V
Produktkategorie:
MOSFET
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:
00,0024 Ohm
Anzahl der Kanäle:
1 Kanal
Vgs - Tor-Quellspannung:
+/- 20 V
Qg - Tor-Gebühr:
105 n. Chr.
Hersteller:
Siliconix / Vishay
Einleitung
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt. |
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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SIR871DP-T1-GE3 |
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