IRFR5305TRLPBF
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
MOSFET
Vgs (maximal):
± 20V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
31A (Tc)
@ qty:
0
FET-Typ:
P-Kanal
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
63 nC bei 10 V
Hersteller:
Infineon Technologies
Minimale Quantität:
3000
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Fabrikbestand:
0
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Fet-Eigenschaft:
-
Reihe:
HEXFET®
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1200 pF bei 25 V
Lieferanten-Gerätepaket:
D-PAK
Status des Teils:
Aktiv
Verpackung:
Band und Rolle (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
65 mOhm bei 16 A, 10 V
Verlustleistung (maximal):
110W (TC)
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
55V
Einleitung
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