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Transistoren
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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FQD18N20V2TM |
MOSFET 200V N-Ch adv QFET V2-Serie
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Fairchild Halbleiter
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SI4435DDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 11,4A 5,0W 24mAh @ 10V
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Vishay Halbleiter
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NTF2955T1G |
MOSFET -60V 2,6A P-Kanal
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Einheitlich
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BSS123,215 |
MOSFET N-CH TRNCH 100V.15A
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Nexperia
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
MOSFET GigaMOS Trench T2 HyperFET PWR MOSFET
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 Mohms @ 4.5V
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Vishay Halbleiter
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SPW47N60C3 |
MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
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Infineon Technologies
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SQM40031EL_GE3 |
MOSFET P Ch -40V Vds AEC-Q101 qualifizierte
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Vishay Halbleiter
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SUM70060E-GE3 |
MOSFET 100V Vds 131A Id 0,0056Vgs Rds ((An)
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Siliconix / Vishay
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FDS3992 |
MOSFET 2N-CH 100V 4,5A 8-SO
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Einheitlich
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FCP22N60N |
MOSFET N-CH 600V 22A bis 220
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Einheitlich
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IRFS4410ZTRLPBF |
MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
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Infineon Technologies
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TK20A60U |
MOSFET N-CH 600V 20A bis 220SIS
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Toshiba
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IPA60R400CE |
MOSFET N-CH 600V bis 220-3
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Infineon Technologies
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IPD25N06S4L-30 |
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
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Infineon Technologies
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IXFH23N80Q |
MOSFET 23 Ampere 800V 0,40 Rds
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von |
MOSFET 80 Ampere 500V 0,06 Rds
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IXYS
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IXFX32N50 |
MOSFET 32 Ampere 500V 0,16 Rds
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IXYS
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IXFH13N80 |
MOSFET 800V 13A
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IXYS
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DMP6023LFGQ-13 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V bis 60V
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Dioden eingebunden
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IXTQ96N15P |
MOSFET 96 Ampere 150V 0,024 Rds
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IXYS
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SQ1440EH-T1_GE3 |
MOSFET 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualifiziert
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Vishay Halbleiter
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IXFH170N10P |
MOSFET 170 Ampere 100V 0,009 Rds
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IXYS
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IXFK180N10 |
MOSFET 100V 180A
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IXYS
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ATP106-TL-H |
MOSFET-Übergangseinrichtung
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Einheitlich
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SPA17N80C3 |
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
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Infineon Technologies
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BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
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Einheitlich
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SI2312CDS-T1-GE3 |
MOSFET 20V 6A N-CH MOSFET
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Vishay Halbleiter
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SI7938DP-T1-GE3 |
MOSFET 40V 60A 46W 5,8mAh @ 10V
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Vishay Halbleiter
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SI7252DP-T1-GE3 |
MOSFET 100V 17mOhm@10V 36,7A N-Ch MV T-FET
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Vishay Halbleiter
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IPT007N06N |
MOSFETEN Unterschiedliche MOSFETEN
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Infineon Technologies
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BSC028N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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Infineon Technologies
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FDT434P |
MOSFET SOT-223 P-CH -20V
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Fairchild Halbleiter
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IRF7343TRPBF |
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 55V 4,7A
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IR / Infineon
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Die Befehle sind zu beachten. |
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
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Toshiba
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SI1539CDL-T1-GE3 |
MOSFET 30 Volt 0,7 Ampere 0,34 Watt
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Vishay Halbleiter
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2N7002DW-7-F |
MOSFET 60V 200mW
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Dioden eingebunden
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IXFH46N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V/46A Ultraschnittstelle X2
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IXYS
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IXTP60N10T |
MOSFET MOSFET Id60 BVdass100
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IXYS
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IXTP60N20T |
MOSFET-Grenzstrom MOSFETs 200 V, 60 A
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IXYS
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IPW60R070P6 |
MOSFET-Hochleistungspreis/Leistungsfähigkeit
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Infineon Technologies
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SI3932DV-T1-GE3 |
MOSFET 30V 3,7A Doppel-N-CH-MOSFET
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Vishay Halbleiter
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FDA20N50F |
MOSFET 500 V N-Kanal
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Fairchild Halbleiter
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BSC040N10NS5 |
MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8
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Infineon Technologies
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FQA46N15 |
MOSFET 150V N-Kanal QFET
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Fairchild Halbleiter
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FDP51N25 |
MOSFET 250 V N-Kanal-MOSFET
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Fairchild Halbleiter
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FQP27N25 |
MOSFET 250 V N-Kanal QFET
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Fairchild Halbleiter
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FDMS86104 |
MOSFET 100V N-Kanal-Stromstrang MOSFET
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Fairchild Halbleiter
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IRFB5615PBF |
MOSFET Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
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Infineon Technologies
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FQPF6N90C |
MOSFET 900V N-Ch Q-FET Vorlauf C-Serie
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Fairchild Halbleiter
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