FQP13N50C
fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET 500V N-Ch Q-FET Vorlauf C-Serie
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
N-Kanal
Technologie:
Si
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:
13 A
Montageart:
Durchs Loch
Mindestbetriebstemperatur:
- 55 C
Packung / Gehäuse:
TO-220-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Kanal-Modus:
Verbesserung
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:
500 V
Verpackung:
Schlauch
Produktkategorie:
MOSFET
Anzahl der Kanäle:
1 Kanal
Vgs - Tor-Quellspannung:
30 V
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:
480 mOhms
Hersteller:
Ein- und zweimal
Einleitung
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