IPA60R400CE
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V bis 220-3
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
MOSFET
Vgs (maximal):
± 20V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
10.3A (Tc)
@ qty:
0
FET-Typ:
N-Kanal
Typ der Montage:
Durchs Loch
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
32nC @ 10V
Hersteller:
Infineon Technologies
Minimale Quantität:
1
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Fabrikbestand:
0
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 150 °C (TJ)
Fet-Eigenschaft:
-
Reihe:
CoolMOSTM CE
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
700 pF @ 100V
Lieferanten-Gerätepaket:
Der Ausdruck "Fördermittel" ist in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 enthalten.
Status des Teils:
Aktiv
Verpackung:
Schlauch
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
400 mOhm @ 3,8A, 10V
Verlustleistung (maximal):
31W (Tc)
Packung / Gehäuse:
Voller Satz TO-220-3
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.5V @ 300μA
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
600 V
Einleitung
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