FCP22N60N
fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 22A bis 220
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
MOSFET
Vgs (maximal):
± 45 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
22A (TC)
@ qty:
0
FET-Typ:
N-Kanal
Typ der Montage:
Durchs Loch
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
45nC @ 10V
Hersteller:
Ein- und zweimal
Minimale Quantität:
1
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Fabrikbestand:
0
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Fet-Eigenschaft:
-
Reihe:
SupreMOSTM
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1950pF @ 100V
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220-3
Status des Teils:
Aktiv
Verpackung:
Schlauch
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
165 mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (maximal):
205 W (Tc)
Packung / Gehäuse:
TO-220-3
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
600 V
Einleitung
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